Den termiska lösningen av ny energi IGBT-modul

Som kärnan för ny energiomvandling och överföring är effektområdet för IGBT-modulen från hundratals watt till några megawatt, vilket är "CPU" för den elektriska elektroniska enheten. Det är tillämpningen av allmänna drivkrafter och förnybar energi, såsom industriell automationsutrustning, hushållsapparater, järnvägstransitering och nya energiområden.

 Kylflänsarna på IGBT-modulen

   Ju större strömmen för IGBT-modulen är, desto högre blir omkopplingsfrekvensen och desto högre blir modulens termiska energiförbrukning. Som ett resultat kommer förlusten av IGBT-modulen att bli stor och enhetens temperatur blir för hög.

Om temperaturen är för hög kommer modulens effektivitet att minska, och då kommer hela arbetsförloppet att påverkas.

Speciellt de komponenter som behöver arbeta kontinuerligt, IGBT-modulen är mer beroende av behovet av ett bra termiskt kylsystem för att göra garantin.

Dålig värmeavledning av IGBT-modulen kommer direkt att orsaka skada och påverka hela maskinens funktion.

Generellt sett måste kraftelektroniska enheter baserade på kiselenheter fungera under 125 grader C och IGBT måste fungera under 150 grader C, vilket kan utökas till 200 grader C för framtida kiselkarbidenheter.

Termisk hantering av kraftelektronik kräver ofta användning av termiskt ledande gränssnittsmaterial för att ansluta IGBT till kylflänsen, och gränssnittet spelar en avgörande roll för den övergripande termiska impedansen och långtidsprestanda.

IGBT-modulen består huvudsakligen av ett chip, ett direkt kopparbelagt keramiskt lager och ett substrat. Mellanskiktet svetsas med lod, och substratet är vanligtvis anslutet till kylaren genom termiskt fett. Den har låg termisk resistans, hög tillförlitlighet och kommer inte att avdunsta och härda när den utsätts för hög temperatur under lång tid. Det är ett bra val för IGBT-kylning av nya energifordon.